铜陵变压器铜陵变压器设计

文章出处：http://tongling.lcfywz.com   责任编辑：铜陵变压器厂   发布时间：2018-10-09    点击数：332

铜陵变压器铜陵变压器设计 驱动铜陵变压器设计并不难，但一定要心中有数。只要做到调试前计算，调试时测量，调试后老化，相信谁都可以搞好。
1、电流大小
大家都知道ripple过大的话，寿命会受到影响，影响有多大，也没见过哪个专家说过。以前问过厂这个数据，他们说30%以内都可以接受，不过后来没有经过验证。建议还是尽量控制小点。如果散热解决的不好的话，一定要降额使用。也希望有专家能给个具体指标，要不然影响的推广。
2、芯片发热
这主要针对内置铜陵变压器调制器的高压驱动芯片。假如芯片消耗的电流为2mA，300V的电压加在芯片上面，芯片的功耗为0.6W，当然会引起芯片的发热。驱动芯片的最大电流来自于驱动功率mos 管的消耗，简单的计算公式为I=cvf(考虑充电的电阻效益，实际I=2cvf，其中c为功率MOS管的cgs电容，v为功率管导通时的gate电压，所以为了降低芯片的功耗，必须想办法降低c、v和f。如果c、v和f不能改变，那么请想办法将芯片的功耗分到芯片外的器件，注意不要引入额外的功耗。再简单一点，就是考虑更好的散热吧。
3、功率管发热
关于这个问题，也见到过有人在论坛发过贴。功率管的功耗分成两部分，损耗和导通损耗。要注意，大多数场合特别是市电驱动应用，损害要远大于导通损耗。损耗与功率管的cgd和cgs以及芯片的驱动能力和工作频率有关，所以要解决功率管的发热可以从以下几个方面解决：A、不能片面根据导通电阻大小来选择MOS功率管，因为内阻越小，cgs和cgd电容越大。如 1N60的cgs为250pF左右，2N60的cgs为350pF左右，5N60的cgs为1200pF左右，差别太大了，选择功率管时，够用就可以了。 B、剩下的就是频率和芯片驱动能力了，这里只谈频率的影响。频率与导通损耗也成正比，所以功率管发热时，首先要想想是不是频率选择的有点高。想办法降低频率吧!不过要注意，当频率降低时，为了得到相同的负载能力，峰值电流必然要变大或者电感也变大，这都有可变压器厂家_中能电力变压器厂官网能导致电感进入饱和区域。如果电感饱和电流够大，可以考虑将CCM(连续电流模式)改变成DCM(非连续电流模式)，这样就需要增加一个负载电容了。